光刻机Mask MSMA

简要描述：MYCRO*荷兰光刻机（光刻机Mask MSMA），是的光刻系统，为半导体制造和科研领域提供品质优良稳定的全波段紫外光刻机系统，广泛的应用于半导体光刻工艺制程、微机电MEMS、二极管芯片、发光二极体（LED）芯片制造、生物器件、纳米科技、显示面板LCD、光电器件、奈米压印以及电子封装等诸多领域。客户如美国航空航天公司、飞利浦、摩托罗拉、惠普、牛津大学、剑桥大学、斯坦福大学、伦敦大学等等。

产品型号：MSMA-1200M
厂商性质：代理商
更新时间：2023-11-13
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产品分类

掩膜曝光光刻机

Mask Aligner光刻机 Mask Aligner系列 NXQ系列查看全部产品

详细介绍

光刻机分为半自动和全自动两大系列。SMA-600M是用于研发和多产品生产领域的手动掩模对准仪，采用清晰的光学系统和*非接触式校准单元。通过接触或接近模式可以曝光到Z大φ150mm的晶片。它是曝光工艺中Z适合用于各种电子设备的系统，例如LD，LED等化合物半导体，以及包括压力传感器等在内的微型机械的制造工艺。

二、技术参数：

1、光掩模的尺寸：5英寸Z大；

2、晶片大小：Z高4英寸(无定形)；

3、掩模架滑动：手动卡盘；

4、模板移动：X=±3mm, Y=±3mm；

5、曝光方法：支持接近式曝光，各种接触式（软接触/硬接触/间隙印刷/真空接触/低真空接触）曝光；

6、照明：250W超高压水银灯

7、照明不均匀性：±5%

8、有效接触面积：直径o100毫米

9、分辨率：3mµL/S

10、对齐方法：通过摄像头查看

11、对齐物镜：10 x(上/下)

12、总放大倍率：100 x

13、物镜分离：15˜90毫米

14、对准范围：X,Y=±4毫米

15、对准间隙：99年09年µm

16、对准精度：小于±5毫米

17、主机电源：100-200交流，50/60Hz, 15A (600W)

18、氮气：0.4˜0.5 Mpa

19、真空压力：小于21.3kPa(大气压-80kPa)

三、产品特点：

用于研发，多产品生产领域

技术的前沿

采用*非接触式校准系统
校准时不会损坏掩模和晶圆
间隙精度的显着提高
基于“辅助线”的高精度对准是可能的

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