原子层沉积系统

应用领域

原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和*性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：

1）晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）

2）微电子机械系统（MEMS）

3）光电子材料和器件

4）集成电路互连线扩散阻挡层

5）平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）

6）互连线势垒层

7）互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）

8）DRAM、MRAM介电层

9）嵌入式电容

10）电磁记录磁头

11）各类薄膜（<100nm）

技术参数：

基片尺寸：4英寸、6英寸；

加热温度：25℃~350℃；

温度均匀性：±1℃；

前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；

前驱体数：一次同时可处理多达5个ALD前体源；

PLC控制系统：7英寸16位彩色触摸屏HMI控制；

模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测

样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；

压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr

两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；

在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无Elestamor O型圈出现;

氧化铝催化剂处理能力：6-10次/分钟或高达1.2纳米/分钟（同类*）

高纵横比沉积，具有良好的共形性

曝光控制，用于在3D结构上实现所需的共形性；

预置有经验证过的3D和2D沉积的优化配方；

简单便捷的系统维护及安全联锁；

目前市面上占地zui小，可兼容各类洁净室要求的系统；

可以为非标准样品而订制的夹具，如SEM / TEM短截线

原子层沉积ALD的应用包括：

1) High-K介电材料(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；

2)导电门电极(Ir, Pt, Ru, TiN)；

3)金属互联结构(Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；

4)催化材料(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；

5)纳米结构(All ALD Material)；

6)生物医学涂层(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；

7) ALD金属(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；

8)压电层(ZnO, AlN, ZnS)；

9)透明电学导体(ZnO:Al, ITO);

10)紫外阻挡层(ZnO, TiO2);

11) OLED钝化层(Al2O3);

12)光子晶体(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)防反射滤光片(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；

14)电致发光器件(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等(Al2O3, ZrO2);

16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等(AlTiO, SnO2, ZnO);

17)传感器(SnO2, Ta2O5);

18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层(Al2O3, ZrO2, WS2)；

目前可以沉积的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...