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  • GM1010/GM1020/GM1075EM Resist SU-8负性抗蚀剂

    EM Resist SU-8负性抗蚀剂产品,非常适合半导体应用。我们的产品有各种形式和厚度范围。 典型的SU-8过程包括以下步骤: 基板准备 旋涂 松弛时间以提高表面均匀度 软烤 曝光后烘烤 发展历程 冲洗并干燥 可选硬烤

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    更新日期: 2023-11-13
  • 纳米压印光刻胶

    公司拥有齐全的纳米系列压印胶材料,热压型纳米压印胶、热塑型纳米压印胶、紫外光固化型纳米压印胶、紫外光固化纳米压印和光刻两用胶、举离型传递层材料、刻蚀型传递层材料、各种与纳米压印技术相关的化学药品,如模板防粘剂、基片增粘剂等。

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  • 2035/2050/2075/2100光刻胶SU-8 2000

    SU-8 2000是一种高对比度,基于环氧的光致抗蚀剂,设计用于微加工和其他微电子应用,需要厚,化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方,多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥,极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

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  • 3010/3005/3025/3050SU-8 3000光刻胶

    SU-8 3000是一种高对比度,基于环氧的光刻胶,专为微加工和其他微电子应用中, 需要化学和热稳定的图像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改进配方,已被广泛采用 由MEMS生产商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附着力和降低涂层应力。 SU-8 3000的粘度范围允许膜厚为4至单层涂层厚度为120 µm。

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  • 2005/2010/2025光刻胶SU-8 2000

    SU-8 2000是一种高对比度,基于环氧的光致抗蚀剂,设计用于微加工和其他微电子应用,需要厚,化学和热稳定的图像。 SU-8 2000是SU-8的改进配方,多年来已被MEMS生产商广泛使用。使用更快干燥,极性更大的溶剂系统可改善涂层质量并提高工艺产量。 SU-8 2000有十二种标准粘度。通过单道涂覆工艺可以实现0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和随后热交联的部分不溶于液体显影剂。

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  • 美国Futurrex光刻胶

    Futurrex 成立于1985年,是美国光刻胶及辅助化学品制造商。产品以技术著称,从2000年至今年均增长率为33%。主要客户有:Ti、半导体、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm (高通)等。Futurrex长期与Intel实验室合作,产品被广泛收录进美国各大学半导体教程,是各大研究机构产品。

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